DNF申请硅化合物及使用其制备含硅薄膜的方法专利, 制备含硅薄膜具有优异化学稳定性

国家知识产权局信息显示，DNF有限公司申请一项名为“硅化合物及使用其制备含硅薄膜的方法”的专利，公开号CN120647681A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本发明涉及一种硅化合物、包含其的用于沉积含硅薄膜的组合物及使用其制备含硅薄膜的方法，使用根据本发明的硅化合物作为硅前体来制备的含硅薄膜不仅具有优异的化学稳定性和热稳定性，而且具有低介电常数，因此可以用作半导体器件的绝缘膜，特别是用作半导体微细化工艺的隔离物。

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